Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств

Содержание
Введение
Глава Обзор литературы.
1.
2.
3.
Инжекционные лазеры ближнего инфракрасного диапазона в системе А3В5 с применением РО ДГС структур.
Применение массивов квантовых точек при создании
инжекционных лазеров.
Формирование массивов квантовых точек ГпАяОаАБ с использованием эффектов самоорганизации.
Глава 2 Экспериментальное оборудование и методики измерений.
Выращивание гетероструктур методом молекулярнопучковой эпитаксии.
Экспериментальные методы исследования гетероструктур.
Глава 3 Оптимизация конструкции и режимов выращивания массивов квантовых точек 1пАСаА для лазерных
применении.
Квантовые точки СтранскогоКрастанова в системе 1пАвСаАв. Способ формирования и основные
характеристики.
Квантовые точки 1пАзСаА5 получаемые методом
субмонослойного осаждения. Способ формирования и основные характеристики.
Глава 4 Мощные лазеры на основе квантовых точек СтранскогоКраста нова.
4.1 Преимущества мощных лазеров на основе массива КТ.
4.2 Реальные массивы КТ СтранскогоКрастанова. Насыщение
усиления.
4.3 Мощные лазеры на основе нескольких рядов КТ ГпАзСаАБ
СтранскогоКрастанова.
4.4 Одномодовые лазеры с 1пАзСаАз КТ Странского
Крастанова.
Глава 5 Мощные лазеры на основе субмонослойных квантовых точек.
5.1 Сравнение СМС КТ и СК КТ активной области для 0. мкм
мощных лазеров.
5.2 Оптимизация структуры лазера с СМС КТ для мощностных
применений.
Заключение
Выводы, основные результаты работы.
Литература