Вы здесь

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Автор: 

Ивкин Андрей Николаевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000196812

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
• Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
• Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
• Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками
• Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
• Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
• Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
• Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
• Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами