- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2002
Кількість сторінок:
117
Артикул:
140800 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
- Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
- Магнитные фазовые переходы и физические свойства реальных материалов со сложной магнитной структурой
- Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
- Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6
- Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии
- Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
- Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе