- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2002
Кількість сторінок:
117
Артикул:
140800 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура
- Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
- Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
- Исследование динамических режимов работы газовых сенсоров с целью повышения их избирательности
- Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов
- Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x
- Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
- Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
- Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями