- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2002
Кількість сторінок:
117
Артикул:
140800 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
- Поляризационно-селективные свойства четырехслойных оптических диэлектрических волноводов
- Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
- Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства
- Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации
- Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
- Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света
- Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами