- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2002
Кількість сторінок:
117
Артикул:
140800 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями
- Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
- Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu
- Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
- Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs