- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
Тип работы:
кандидатская
Год:
2002
Количество страниц:
117
Артикул:
140800 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs
- Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств