- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
114
Артикул:
7243 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств
- Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x
- Радіаційна модифікація електрофізичних і оптичних властивостей кристалів GaAs і CdS для створення на їх основі лазерів великої потужності
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Динаміка формування хімічного зв'язку в низькосиметричних кристалах
- Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
- Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках
- Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
- Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза