Ви є тут

Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур

Автор: 

Данилов Сергей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213905

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия A^III B^V - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе
• Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
• Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
• Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
• Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
• Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
• Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
• Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
• Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
• Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния