Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений

Оглавление
Введение
Глава 1. Общин подход к механизмам роста в молекулнрно пучковой
эпитаксии МПЭ. Теория и эксперимент
1.1. Общие физические аспекты роста в МПЭ. Особенности роста
ВТСП соединений
1.2. Физические особенности роста МПЭ нитридных соединений I1I
1.3. Особенности МПЭ роста нитридных соединений с малым содержанием азота IIIV I
Глава 2. Нитридные соединения III
2.1. Получение , I и твердых растворов ТР.
2.1.1. Установка МПЭ с плазменными источниками азота.
2.1.2. Методы создания азотной плазмы для МПЭ и характеристики
плазмы из разных источников
2.1.3. Получение , I и твердых растворов на различных подложках и их свойства
2.1.4. Получение кубической модификации
2.2. Получение и исследование I
2.2.1. Технологические особенности получения МПЭ нитрида индия
2.2.2. Физические свойства нитрида индия.
2.3. Получение и исследование колончатых структур нитридов
2.3.1. Колончатые структуры и их физические свойства
2.3.2. Колончатые структуры I, их физические свойства и механизм роста.
Глава 3. Нитридные соединения УМ I с малым содержанием азота
3.1. Выращивание твердых растворов паАзМ
3.2. Напряженно компенсированные сверхрешетки КСР.
3.3. Гетероструктуры с квантовыми точками
3.4. Лазеры на основе твердых растворов и НКСР пСаАзУ
Глава 4. Высокотемпературные сверхпроводники ВТСП.
4.1. Установка МГ для роста ВТС1 соединении с плазменным
исто чи и ком
4.2. Выращивание ВТС соединений системы УЬВаСиО и ОуВаСиО
4.2.1. Система УЬВаСиО.
4.2.2. Система ОуВаСиО.
4.3. Физические свойства ВТСП пленок
4.4. Механизмы роста топках пленок ВТСП.
Глава 5. Квантовые каскадные лазеры ККЛ.
5.1. Требования к квантовым каскадным лазерам и состояние проблемы
5.1.1. Волноводы и резонаторы. Резонатор ФабриПеро.
5.1.2. ККЛ с распределенной обратной связью.
5.1.3. Специальные конструкции ККЛ
5.2. Получение и характеризация ККЛ.
5.2.1. Лазеры с изопериодической сверхрешеткой с трехямиой активной областью
5.2.2. Лазеры с напряженнокомпенсированными сверхрешетками с четырехямной активной областью.
Заключение.
Введение.
Актуальность