- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
7474 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
- Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
- Выращивание и исследование InAsSbP квантовых точек и созданных на их основе фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона
- Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
- Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
- Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
- Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах