- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
7474 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах
- Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
- Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
- Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
- Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
- Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы