Ви є тут

Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x

Автор: 

Исмаилова Нупайсат Пахрудиновна

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2003

Артикул:

7474

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Материальные и полевые характеристики текстурированных поликристаллов и композитов
• Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии
• Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами
• Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях
• Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
• Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
• Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
• Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов
• Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
• Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка