Оглавление
Введение
1 Сшшзависимое резонансное туннелирование
1.1 Обзор литературы спинзависимое туннелирование в магнитных и
нампштных структурах, фильтрация и детектирование спина, нерезонансные и резонансные структуры
1.2 Спинзависимая туннельная прозрачность двухбарьерной ст руктуры
1.3 Туннельный ток спинполяризованных электронов и туннельный
спин гальванический эффект.
1.4 Спиновая ориентация электронов при туннелировании .
2 Гамильтониан Дрессельхауза в магнитном поле
2.1 Обзор литературы метод эффективной массы и спинзависнмыс поправки к электронным состояниям в магнитном поле.
2.2 Гамильтониан Дрессельхауза в однородном магнитном поле.
2.3 Гамильтониан фессельхауза в неоднородном магнитном поле .
2.4 С4гамильтониан метода эффективной массы в неоднородном магнитном ноле .
2.5 Спинорбнтальные поправки к электронному спектру в одиночной
квантовой яме
2.6 Спинорбитальные поправки к электронному спектру в двойной
квантовой яме
3 Анизотропия зоны проводимости объмного полупроводника в сильном магнитном поле
3.1 Обзор литературы анизотропия уровней Ландау в объмном полупроводнике характерные диапазоны магнитных полей явления, связанные с анизотропией уровней Ландау .
3.2 Влияние слагаемою Дрессельхауза на состояния электронов в квантующем магнитном поле
3.3 Полная формула для анизотропии уровней Ландау в сильном магнитном поле .
3.4 Сравнение рассчитанной анизотропии рфактора с экспериментальными данными по анизотропии циклотронного резонанса
3.5 Магнитокристаллическая анизотропия плегированного полупроводника .
Заключение
А Приближенное вычисление прозрачности прямоугольного барьера, искажнного приложенным к нему напряжением
В Формула прозрачности двухбарьерной несимметричной структуры
С ОЦИЙ вид гамильтониана в полупроводнике симметрии цинковой обманки
Публикации автора по теме диссертации
Литература
- Київ+380960830922