СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ПРИГОТОВЛЕНИЕ А ТОМАРНОЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ И ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ ЦЕЗИЯ И КИСЛОРОДА НА Е
СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА.
1.1 Атомарночистая поверхность 0
1.2 Химические способы приготовления атомарночистой поверхности
1.3. Структура и электронные свойства границ раздела 0 и
,0.
1.4. Цель и задачи работы.
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1 Образцы.
2.2 Высоковакуумная установка.
2.3 Оже и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
2.4 Дифракция медленных электронов
2.5 Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения СХПЭЭВР.
ГЛАВА III. СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ
3.1 Стехиометрия и остаточные углеродные загрязнения на поверхности после обработки в растворе НС1 в изопропиловом спирте и
прогрева в вакууме.
3.2 Сверхструктурные перестройки на поверхности при
прогревах в вакууме
3.3 Электронные свойства поверхности влияние сверхструктурных перестроек на работу выхода, изгиб зон, плотность и энергетическое распределение поверхностных состояний
3.4 Обсуждение результатов
3.5 Основные результаты и выводы главы III.
ГЛАВА IV. ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ И ДЕСОРБЦИИ Сб НА СВЕРХСТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕСТРОЙКИ И СНИЖЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЕРЕХОДА К ОаСТАБИЛИЗИРОВАННОЙ
ПОВЕРХНОСТИ
4.1 Адсорбция Се на АБстабилизированную поверхность ОаАБЮО
2х4с2х8 эволюция атомной структуры
4.2 Термодесорбция Сб и низкотемпературный переход к Оа
стабилизированной с верх структуре 4х2с8х2.
4.3 Адсорбция Сб на вастабилизированную сверхструктуру
4х2с8х2 эволюция атомной структуры
4.4 Электронные свойства поверхности СаАБ 0 при адсорбции и
десорбции Сб
4.5 Основные результаты и выводы главы IV
ГЛАВА V. ФОРМИРОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНОГО СбО
АКТИВИРУЮЩЕГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ЗаАБЮО.
5.1 Влияние адсорбции кислорода на плотность и энергетическое
распределение поверхностных состояний.
5.2 Формирование дипольного СбО слоя на поверхности ОаАБЮО
5.3 Формирование гетероперехода на поверхности СаАБЮО
5.4 Основные результаты и выводы главы V.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА