Ви є тут

Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN

Автор: 

Павлюченко Алексей Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2011

Артикул:

1005413170

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
• Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
• Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
• Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
• Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
• Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
• Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода