Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах

Оглавление
1 Введение
1.1 Общая характеристика работы
1.2 Краткое описание работы
2 Скинэффект и отклик полупроводниковых барьерных структур
2.1 Введение .
2.2 Спектр БПП
2.3 Динамический импеданс.
2.4 Малосигнальный нелинейный отклик
2.5 Выводы
3 Линейные и нелинейные плазменные возбуждения в резонансно
туннельных диодах
3.1 Введение .
3.2 Описание модели.
3.3 Общая нелинейная система уравнений для РТД и внешней цепи . .
3.4 Однородное статическое решение .
3.5 плазмоны в РТД.
3.5.1 Спектр плазмонов.
3.5.2 Оценки
3.5.3 Неустойчивость 2Б плазмонов и ВАХ
3.6 Нелинейные статические и бегущие решения
3.6.1 Основные уравнения
3.6.2 Механическая аналогия.
3.6.3 Различные типы решений. Качественный анализ.
3.6.4 Статические домены и особенности на ВАХ.
3.6.5 Аналитические выражения для оценок
3.7 Устойчивость 2х доменных решений.
3.7.1 Описание подхода
3.7.2 Оценки .
3.8 Выводы
4 Влияние кулоновского взаимодействия на динамические свойства резонанснотуннельных диодов
4.1 Введение .
4.2 Времена отклика.
4.3 Импеданс РТД
4.4 Обсуждение результатов
4.4.1 Область спада резонанснотуннельного тока.
4.4.2 Область нарастания резонанснотуннельного тока .
4.5 Сравнение с экспериментом
4.5.1 Низкочастотная емкость в области ПДП, работа .
4.5.2 Низкочастотная емкость в области ОДП, работа .
4.5.3 Измерения высокочастотного импеданса, работа 3
4.6 Выводы
5 Заключение
Введение
1.1 Общая характеристика работы
Актуальность