Ви є тут

Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si

Автор: 

Макаренко Владимир Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2006

Кількість сторінок: 

160

Артикул:

138307

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния
• Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой
• Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
• Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
• Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
• Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
• Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
• Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами
• Изучение низкоразмерных структур металлов (Au, In и Mn) на поверхности кремния
• Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией