- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
160
Артикул:
138307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз
- Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
- Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием
- Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
- Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света
- Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда
- Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
- Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
- Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах