- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
160
Артикул:
138307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Омические контакты металл-карбид кремния
- Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
- Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
- Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
- Энергетический спектр электронных и колебательных состояний в полупроводниковых нанокристаллах
- Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
- Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs