- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
160
Артикул:
138307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111)
- Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
- Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
- Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом