- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
Тип работы:
кандидатская
Год:
2006
Количество страниц:
160
Артикул:
138307 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
- Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах
- Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
- Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик
- Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда