Ви є тут

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Автор: 

Денисов Юрий Алексеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000199839

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях
• Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров пакетами активных частиц газа большой плотности
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
• Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура
• Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
• Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
• Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур
• Неупругое туннелирование куперовских пар с участием фононов в с- направлении в одиночных и стопочных контактах на микротрещине в Bi-Sr-Ca-Cu-O