Ви є тут

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Автор: 

Денисов Юрий Алексеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000199839

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
• Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене
• Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
• Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
• Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
• Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
• Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана
• Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
• Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках
• Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм