Вы здесь

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Автор: 

Денисов Юрий Алексеевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000199839

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела
• Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
• Акустоэлектронное детектирование и усиление сигналов в знакопеременном электрическом поле
• Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
• Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов
• Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
• Ізовалентно заміщені борати літію і барію: синтез, структурні особливості та фізичні властивості
• Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами
• Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
• Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах