- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
170
Артикул:
140714 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
- Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
- Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
- Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
- Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах