- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
170
Артикул:
140714 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
- Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
- Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
- Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
- Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов
- Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда
- Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
- Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором