Ви є тут

Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур

Автор: 

Каменев Борис Владимирович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

105

Артикул:

1000285574

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
• Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
• Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
• Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
• Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
• Особенности электропереноса в полупроводниковых материалах на основе сульфидов самария
• Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
• Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
• Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs
• Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя