- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
Тип роботи:
Дис. д-ра техн. наук
Рік:
2003
Артикул:
7477 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
- Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
- Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана
- Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
- Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
- Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз
- Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями
- Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
- Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения