- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
Тип работы:
Дис. д-ра техн. наук
Год:
2003
Артикул:
7477 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия
- Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
- Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
- Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
- Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств