Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 Обзор литературы и постановка задачи.
1.1 Эффект ФранцаКелдыша и методы электромодуляционной спектроскопии.
1.2 Встроенные электрические поля на поверхности и границах раздела полупроводниковых структур.
1.3 Приготовление чистой поверхности СаА0 с ломошыо обработки в атмосфере водорода.
1.4 Влияние адсорбции С5 на электронные свойства
поверхности СаА80.
1.5 Постановка задачи.
ГЛАВА 2 Методика эксперимента.
2.1 Образцы.
2.2 Спектроскопия фотоотражения.
2.3 Фурьеанализ спектров фотоотражения.
2.4 Фурьеанализ электрооптических спектров влияние
амплитуды модуляции.
2.5 Методика приготовления и исследования поверхности ОаАя в сверхвысоком вакууме.
ГЛАВА 3 Встроенные электрические поля в модельных ваАв
структурах.
3.1 Определение встроенных электрических полей и построение энергетической зоиной диаграммы 1Ж структуры.
3.2 Влияние фотоэдс на определение встроенных электрических
полей методом спектроскопии фотоотражения.
3.3 Изучение кинетики фотоэдс методом спектроскопии
фотоотражения.
ГЛАВА 4 Влияние адсорбции водорода и цезия на
электронные свойства поверхности СаАьЮО.
4.1 Эволюция изгиба зон и фотоэдс на поверхности СаА0
при прогревах в вакууме.
4.2 Влияние прогрева в атмосфере водорода на электронные
свойства поверхности СаА0.
4.3 Влияние адсорбции цезия на электронные свойства
поверхности СаА80.
Заключение
Список литературы