- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 : На примере ZnSe
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2003
Артикул:
325595 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках
- Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
- Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
- Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах
- Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
- Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
- Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов
- Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
- Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
- Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения