- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1982
Артикул:
452783 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
- Центри люмінесценції у фосфорах на основі йодидів і бромідів цезію, активованих іонами талію, європію та міді
- Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов
- Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов
- Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
- Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
- Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе