- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1982
Артикул:
452783 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
- Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
- Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
- Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов
- Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Динаміка формування хімічного зв'язку в низькосиметричних кристалах
- Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
- Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах