Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr

Содержание
Введение. .
1. Диффузионные структуры на основе ваАз,
легированного примесями Сг и Ге получение и свойства. . .
1.1. Диффузия хрома и железа в ваАз . . . . .
1.1.2. Диффузия хрома в ОаАэ. .
1.1.3. Диффузия железа в ОаАя. .
1.2. Свойства электроннодырочных переходов,
полученных диффузией Сг, Ре в ОаАз.
1.2.1. Вольтамперные характеристики къп структур. .
1.2.2. Влияние типа структуры на вольтамперные
характеристики Бдиодов.
1.2.3. Влияние геометрических размеров структуры на ВАХ 8диодов .
1.2.4. Влияние концентрации доноров на ВАХ Ядиодов. .
1.3. Приборы на основе пОаАБ легированного Ре, Сг в процессе диффузии. . .
1.3.1. Лавинные переключающие Бдиоды. .
1.3.2. Фотоприемники широкого спектрального диапазона . .
1.3.3. Детекторы высокоэнергетических частиц
и ионизирующих излучений . . . . . . .
1.4. Выводы к первой главе и постановка задачи.
2. Экспериментальные методики и способы изготовления образцов структур и приборов. .
2.1. Получение и исследование диффузионных структур . .
2.1.1. Способы изготовления диффузионных структур на
основе ваАзгРе, Сг. .
2.1.2. Методы исследования диффузионных структур. .
2.2. Изготовление и исследование приборов на основе диффузионных структур.
2.2.1. Методики изготовления образцов Бдиодов.
2.2.2. Методики измерения электрических характеристик 8диодов. .
3. Исследование диффузии хрома и железа в СаАБ. .
3.1. Диффузия хрома в ваАБ в потоке аргона. . . .
3.2. Диффузия железа в ваАБ в запаянных ампулах. . . . .
Выводы к третьей главе.
4. Исследование электрических характеристик диффузионных структур на основе вАб, легированного Ке и Сг. . . .
4.1. Исследование влияния толщины лгслоя на обратную
ВАХ тгуяструктур на основе СаАБРе. . . . . . .
4.2. Исследование ВАХ лVструктур на основе
ваАБ, легированного примесью Сг . . . , . .
4.3. Исследование ВАХ Эдиодов на основе
диффузионной лялСггСгиструктуры. . . . . . .
Выводы к четвертой главе. . . . . . . . .
5. Применение структур на основе СаАя, легированного
примесью железа, хрома.
5.1. Высокоомные диффузионные слои ОаАв, легированные
хромом, для детекторов ионизирующих излучений. . . . .
5.2. Высоковольтные 8диоды и формирователи импульсов. . .
5.3. Диффузионные п7супр рптгуп структуры на
основе ваАБ, легированного железом, для Бтранзисторов . .
Выводы к пятой главе. . . . . . . . . .
Заключение. . . . . . . . . . .
Список литературы