Содержание
0. Ведение.
1. Фосфид галлия. История и современное состояние
1.1 Фосфид галлия. Ретроспектива
1.2 Основные свойства.
1.3 Эпитаксиальные технологии.
1.4 Хлоридный процесс.
1.5 Собственные дефекты и фоновые примеси.
1.6 Легирование и диффузия
1.7 Омические контакты для СаР.
1.8 Фосфидгаллисвыс приборы для высокотемпературных применений
2. Базовая технология и эпитаксиальные структуры
2.0 Введение
2.1 Газофазная эпитаксия. Возможности и ограничения.
2.2 Основные процессы ГФЭ.
2.3 Подложки
2.4 Установка. Реактор
2.5 Технологические режимы
2.6 Эпитаксиальные структуры приборного назначения
2.7 Буферный слой и дислокации
2.8 Термостойкие омические контакты.
2.9 Предварительное тестирование переходов
2. Выводы.
3. Формирование и особенности микрорельефа рлперехода
3.0 Введение
3.1 Неконтролируемая микронсоднородность концентрации легирующих примесей.
3.2 Роль диффузии в процессах эпитаксии ваР.
3.3 Дислокация как источник вакансий
ЗА Распределения концентрации цинка в присутствии
дислокации
3.5 Легирование слоев с неоднородностью в ходе роста
рпегру ктуры
3.6 Соотношение концентраций акцептора как фактор управления параметрами приборов
3.7 Выводы .
4. Приборы
4.1 Параметры приборов при высоких температурах.
4.2 Выпрямительный диод.
4.3 Стабилитрон.
4.4 Динистор
4.5 Полевой транзистор. Постэиитаксиальные технологии
4.6 Полевой транзистор. Параметры и характеристики.
4.7 Матричные структуры
4.8 Эмиттеры электронов
4.9 Выводы
5. Заключение
6. Список литературы.
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922