Ви є тут

Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры

Автор: 

Устинов Виктор Михайлович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000221257

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
• Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
• Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
• Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
• Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
• Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах
• Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
• Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов
• Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе