Ви є тут

Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры

Автор: 

Устинов Виктор Михайлович

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000221257

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
• Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе
• Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
• Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
• Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии
• Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
• Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
• Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография