Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Туннельная спектроскопия теллурида свинца с использованием
планарных МДП контактов
1.1. Основы метода туннельной спектроскопии полупроводников
1.2. Общие особенности вольтамперных характеристик туннельных МДП контактов
1.3. Туннельная спектроскопия теллурида свинца в квантующем магнитном
1.3.1. Туннельная спектроскопия объемного зонного спектра теллурида
свинца
1.3.2. Исследование анизотропии изоэнергетических поверхностей
1.3.3. Туннельная спектроскопия двумерных поверхностных подзон
1.4. Выводы Глава И. Туннельная спектроскопия резонансных примесных состояний
таллия и индия в теллуриде свинца
2.1. Туннельная спектроскопия теллурида свинца, легированного таллием
2.2. Туннельная спектроскопия теллурида свинца, легированного индием
2.2.1. Особенности вольтамперных характеристик туннельных МДП
структур на основе РЬТе1п
2.2.2. Особенности дифференциальных характеристик туннельных МДП структур на основе РЬТе1п
2.2.3. Туннельная спектроскопия МДП структур на основе РЬТе1п в квантующих магнитных полях
2.3. Выводы Глава III. Сканирующая туннельная микроскопия и локальная туннельная
спектроскопия халькогенидов свинца
3.1. Конструкции низкотемпературных сканирующих тушюльных
микроскопов
3.2. СТМ исследования объемных монокристаллов и тонких пленок РЬТе1п
3.2.1. СТМ исследования кристаллов РЬТе1п
3.2.2. Локальная туннельная спектроскопия кристаллов РЬТе1п
3.2.3. СТМ и Л ТС исследования тонких пленок РЬТе1п
3.3. СТМ и ЛТС исследования эпитаксиальных тонких пленок РЬ8еС1
3.4. Модификация поверхности монокристаллов РЬТе с помощью СТМ
3.5. Выводы
Заключение
Список литературы