Ви є тут

Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U

Автор: 
Диденко Сергей Иванович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2000
Кількість сторінок: 
145
Артикул:
1000251015
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ИОНОВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ
МИШЕНЬЮ АХВУ.
1.1. Введение
1.2. Механизмы, описывающие взаимодействие налетающих высокоэнергетических частиц с атомами мишени.
1.2.1. Основные подходы к описанию взаимодействия
ион атомы мишени.
1.2.2. Ядерное торможение и угол рассеяния
1.2.3. Электронное торможение.
1.2.4. Тепловые колебания решетки.
1.3. Структура упорядоченных мишеней
1.4. Описание программы расчета профилей распределения ионов в кристаллической решетке полупроводниковых соединений А1Х1ВУ2
1.5. Расчетные результаты пробегов высокоэнергетических ионов в полупроводниковой мишени АВ.
1.6. Оснозные результаты и выводы.
ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ОТЖИГА,
ПРОВОДИМОГО ПОСЛЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В СОЕДИНЕНИЯХ ОаАз И 1пР.
2.1. Введение.
2.2. Методика эксперимента
2.3. Экспериментальные результаты, моделирование и обсуждение 4
2.4. Основные результаты и выводы.
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ А1ВУ.
3.1. Введение
3.2.Общие характеристики барьеров Шоттки
3.3. Барьеры Шоттки на 7
3.4. Барьеры Шоттки на
3.5. Барьеры Шоттки на 0.6.4
3.6. Влияние облучения быстрыми электронами на
электрофизические характеристики и параметры БШ на
основе соединений IIV.
3.7. Зависимости концентрации носителей заряда в БШ на основе полупроводниковых соединений АВУ от потока быстрых электронов
3.8. Основные результаты и выводы.
ГЛАВА 4. Энергетический спектр и кинетика накопления глубоких
центров в структурах с барьером Шоттки на широкозонных полупроводниках типа iIv при радиационном воздействии.
4.1. Введение.
4.2. Методика эксперимента
4.3. Основные параметры и зависимости концентрации и скорости введения глубоких центров от потока быстрых электронов в БШ на основе полупроводниковых материалов iIv
4.4. Сравнительный анализ параметров ГЦ в ионноимплантированных слоях и облученных быстрыми электронами структурах
4.5. Основные результаты и зыводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ