- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7396 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
- Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
- Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
- Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе
- Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
- Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Халькогениды элементов четвертой группы
- Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах