- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
191
Артикул:
137274 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов
- Исследование эффектов анизотропии электронно-ядерных взаимодействий в диэлектрических кристаллах
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей
- Омические контакты металл-карбид кремния
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах
- Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
- Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты
- Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах