- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
191
Артикул:
137274 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
- Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния
- Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
- Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
- Фізичні властивості твердих розчинів із стехіометричними вакансіями на основі сульфіду та селеніду ртуті