СОДЕРЖАНИЕ
Введение
ГЛАВА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КАРБИДЕ
I КРЕМНИЯ. ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ.
1.1 Атомная структура БС. Трансформации политипов в БС.
1.2 Особенности формирования контраста на электронномикроскопических изображениях.
1.3 Ионная имплантация. Процессы дефектообразования.
1.3.1 Дефектообразование в твердых телах в процессе
ионной бомбардировки и восстановление
разупорядоченных слоев.
1.3.2 Радиационноускоренная диффузия в твердых телах.
1.4 Ионная имплантация и отжиг карбида кремния.
1.4.1 Дефектообразование и рекристаллизация карбида кремния.
1.4.2 Диффузия примесей в карбиде кремния.
1.5 Радиационные дефекты в БС.
ГЛАВА МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ В
II ДАННОЙ РАБОТЕ
2.1 Характеристики объектов исследования
2.2 Приготовление образцов для исследований методами просвечивающей электронной микроскопии
2.3 Электронномикроскопические исследования
2.3.1 Методика исследования структуры дефектов методом прямого разрешения кристаллической решетки.
III
IV
2.3.2 Определение природы дислокационных петель
методами дифракционной электронной микроскопии. Разработка методики определения природы дислокационных петель в 6НБС.
2.4 Методика измерения профилей распределения
имплантированных атомов.
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОБРАЗОВАНИЯ В 6НБС,
ИМПЛАНТИРОВАННОМ АЛЮМИНИЕМ.
3.1 Структура имплантированных при 0 К и рекристаллизованных слоев 6НБС.
3.2 Структура 6НБС слоев, имплантированных при высоких температурах.
3.3 Особенности атомной структуры дефектов в . имплантированных слоях 6НБС.
3.4 Особенности дефектообразования при имплантации с различной дозой.
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ
ИМПЛАНТАЦИИ НА ПРОФИЛИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ А1 И СТРУКТУРУ 6НБС.
СТРУКТУРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК 6НБС, ВЫРАЩЕННЫХ НА ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЯХ 6НБС.
4.1 Влияние условий имплантации на профили распределения А1 и структуру карбида кремния.
4.2 Исследование структуры эпитаксиальных пленок 6Н 1 БС, выращенных на имплантированных слоях.
ВЫВОДЫ
Список литературы
- Київ+380960830922