СОДЕРЖАНИЕ
Введение..
1.1. Фотоэлектрические явления в КРС и методики исследования фотоэлектрических спектров.
1.2. Фотоэлектр1гческая спектроскопия КРС, выращенных газофазной эпитаксией
1.3. Исследование дефектообразования в КРС методами фотоэлектрической спектроскопии
1.4 Свойства дефектных комплексов ЕЬ2
1.5. Методы исследования параметров глубоких уровней в КРС.
1.5.1. Метод вольтсмкостного СV профилирования
1.5.2 Метод нестационарной спектроскопии глубоких
уровней ЭЬТ8.
1.6. Метод эффекта поля
1.7. Планарный электронный транспорт в гетероструктурах с КЯ.
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Типы исследованных КРС и методика их получения
2.2. Методики фотоэлектрической спектроскопии
2.3. Методики исследования,эффекта поля
2.3.1. Методика динамического эффекта поля
2.3.2. Методика спектроскопии малосигнального эффекта поля
2.4. Другие методики исследования
3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 1пва АвСаАв
3.1. Особенности диагностики КРС 1пОаА8ОаАз методами спектроскопии
ФПЭ, ФБШ и ФП
3.1.1. Спектроскопия ФПЭ и ФП
3.2. Исследование методами фотоэлектрической спектроскопии
дефектообразования при нанесении кобальта на поверхность квантово
размерных структур 1пСаА8ЛЗаА8.
3.3. Влияние толщины спейсерного слоя на спектры фоточувствительности
КРС с КТ и КЯ 1пОаАБОаА8 и 6слоем Мп.
4. ЭФФЕКТ ПОЛЯ В КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ва А81пОа Ав
4.1. Разработка методики динамического эффекта поля
4.2. Эффект поля в однородном слое ваАя
4.3. Эффект поля в гетеронаноструктурах с КТ.
4.4. Температурная зависимость эффекта поля в структурах с КТ.
4.5. О механизме ДЭП в КРС с КТ.
4.6. Эффект поля в структурах с КЯ
4.7 Динамический эффект поля в КРС, содержащих дельта слои Мп
Заключение
Основные публикации по теме диссертации, опубликованные в изданиях
перечня ВАК.
Публикации в сборниках тезисов конференций по теме диссертации
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922