- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
Тип роботи:
дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7296 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
- Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями
- Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура
- Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
- Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
- Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники