- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
Тип роботи:
дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7296 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды
- Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях
- Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов
- Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
- Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
- Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
- Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля