- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
Тип роботи:
дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7296 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
- Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
- Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
- Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
- Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения
- Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца