- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
Тип работы:
дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2006
Артикул:
7296 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
- Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов
- Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
- Целочисленный квантовый эффект Холла и циклотронный резонанс в двумерном электронном газе с разъединенными уровнями Ландау
- Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена