- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7420 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
- Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
- Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0X0,015)
- Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение
- Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии
- Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния
- Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах