- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7420 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
- Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах
- Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
- Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
- Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
- Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках