Ви є тут

Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением

Автор: 

Кривоносов Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000214017

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике ?-Fe2 O3
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
• Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
• Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
• Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
• Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
• Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия