Ви є тут

Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением

Автор: 

Кривоносов Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000214017

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
• Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
• Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6
• Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
• Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
• Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
• Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x
• Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
• Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe
• Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера