- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1999
Артикул:
1000214017 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
- Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
- Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния
- Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ
- Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями