Ви є тут

Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением

Автор: 

Кривоносов Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000214017

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
• Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
• Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
• Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
• Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
• Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
• Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3