Вы здесь

Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением

Автор: 

Кривоносов Александр Николаевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000214017

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе
• Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях
• Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
• Квантовые кинетические уравнения динамики взаимодействующей экситон-поляритонной системы в полупроводниковом микрорезонаторе
• Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
• Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
• Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца
• Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5
• Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
• Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A^2 B^6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона