Ви є тут

Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца

Автор: 

Бондоков Роберт Цветанов

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000217939

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
• Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
• Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
• Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники
• Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
• Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
• Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
• Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
• Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
• Исследование динамических режимов работы газовых сенсоров с целью повышения их избирательности