Ви є тут

Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца

Автор: 

Бондоков Роберт Цветанов

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000217939

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
• Електронна поляризовність одновісно навантажених кристалів K2Zn4Cl4 з несумірною фазою
• Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
• Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
• Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
• Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
• Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
• Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра
• Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
• Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)