Оглавление
Введение
1 Структуры с модулированным составом в объемных твердых растворах полупроводников
1.1 Введение.
1.2 Свободная энергия неоднородного твердого раствора
1.3 Упругая энергия неоднородного твердого раствора .
1.4 Мягкая мода флуктуаций состава в объемном твердом растворе
1.5 Конечное состояние распавшегося твердого раствора
2 Гексагональные структуры
2 Л Введение.
2.2 Модуль Юнга гексагонального кристалла
2.3 Параметры анизотропии
2.4 Упругая энергия флуктуаций состава в объемном твердом растворе.
2.5 Упругая энергия неоднородного эпитаксиального слоя на подложке
3 Влияние тетрагональной деформации эпитаксиального слоя на критическую температуру спинодального распада
3.1 Введение.
3.2 Упругая энергия эпитаксиального слоя твердого раствора в присутствии тетрагональной деформации.
3.3 Химическая энергия эпитаксиального слоя твердого раствора
3.4 Фазовая диаграмма спинодального распада
3.5 Критическая температура спинодального распада
4 Поля упругих смещений вблизи низкоразмерных структур
4.1 Введение .
4.2 Тонкий псевдоморфный слой
4.3 Тонкий псевдоморфный цилиндр.
4.4 Псевдоморфный шар
4.5 Формирование контраста в просвечивающем электронном микроскопе .
4.6 Пример анализа реальной структуры
с квантовыми точками.
Заключение
Приложение А
Приложение В
Литература
- Київ+380960830922