- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1999
Кількість сторінок:
155
Артикул:
182679 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
- Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза
- Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах
- Оптическая неоднородность кристаллов лангасита
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур
- Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
- Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)