- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1999
Кількість сторінок:
155
Артикул:
182679 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
- Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
- Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами
- Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe
- Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
- Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
- Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
- Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe