- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1999
Кількість сторінок:
155
Артикул:
182679 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах
- Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов
- Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
- Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0X0,015)
- Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма
- Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
- Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры
- Структурная модификация свойств пленок аморфного углерода