- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
Тип роботи:
Докторская
Рік:
1998
Артикул:
476147 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах
- Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
- Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
- Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
- Неизотермические процессы в системах на основе кремния
- Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
- Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
- Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией