Ви є тут

Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями

Автор: 

Кучинский Владимир Ильич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

476147

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
• Электрофизика пористого кремния и структур на его основе
• Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
• Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
• Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
• Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
• Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
• Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов
• Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена