Ви є тут

Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями

Автор: 

Кучинский Владимир Ильич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

476147

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
• Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6
• Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
• Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
• Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
• Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
• Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур
• Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
• Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
• Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии