- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
122
Артикул:
140806 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
- Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
- Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия
- Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
- Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
- Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур