Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЯ
1.1. Дефектообразование в облученном кремнии.
1.2. Разу порядочен ные области в кремнии
1.3. Облучение кремния протонами и альфачастицами.
1.4. Влияние интенсивности облучения и температуры на процессы радиационного дефектообразования
1.5. Изменение параметров полупроводниковых приборов под воздействием радиационного облучения.
1.6. Радиационное легирование кремния
1.7. Выводы
ГЛАВА 2. АМОРФИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ОБЛУЧЕНИЯ АЛЬФАЧАСТИЦАМИ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ
2.1. Методика проведения облучения.
2.2. Исследование аморфизации поверхности кремния методом комбинационного рассеяния света.
2.3. Измерение времени жизни методом поверхностной фотоЭДС
2.4. Эксперименты по измерению времени жизни на кремнии
2.5. Изменение времени жизни носителей заряда в кремнии под воздействием облучения альфачастицами.
2.6. Выводы
ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЕ ЕМКОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛПОЛУПРОВОДНИК ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ АЛЬФАЧАСТИЦАМИ .
3.1. Методика и погрешности измерения распределения концентрации дефектов вблизи контакта металлполупроводник
3.2. Изменение распределения концентраций центров рекомбинации при облучении
3.3. Теоретическая модель изменения концентрации центров рекомбинации в облученном кремнии с учетом диффузии дефектов
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ
МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЕМКОСТИ.
4.1. Методика измерения термостимулированной емкости.
4.2. Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в рдпереходах
4.3. Вычисление параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата электронов
4.4. Модель распада комплексов.
4.5. Выводы.
ГЛАВА 5. ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБЛУЧЕННЫХ
ОБРАЗЦОВ.
5.1. Модели переноса заряда в облученных структурах. Применение метода рекомбинационной спеюроскопии для определения параметров глубоких уровней.
5.2. Методика измерения вольтамперных характеристик.
5.3. Двойные поверхностнобарьерные диоды Шоттки
на основе кремния
5.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ