- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария
- Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
- Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура
- Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
- Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
- Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
- Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред
- Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
- Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
- Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика