- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе
- Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
- Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов
- Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения