- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела
- Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
- Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
- Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
- Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
- Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков