- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
Тип работы:
Докторская
Год:
2013
Артикул:
324643 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
- Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
- Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
- Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV