Ви є тут

Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As

Автор: 

Шоболов Евгений Львович

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2003

Кількість сторінок: 

146

Артикул:

7494

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов
• Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111)
• Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
• Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов
• Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
• Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
• Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
• Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
• Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников