- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2003
Кількість сторінок:
146
Артикул:
7494 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
- Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
- Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
- Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
- Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите