Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В МОП СТРУКТУРАХ, СТИМУЛИРОВАННЫЕ РАДИАЦИЕЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1.Действие ионизирующего излучения ка структуры МДП .
1. 2. Транспорт электронов и дырок в окисле
1.3.Релаксация индуцированного радиацией положительного заряда в окисле
1.4.Генерация поверхностных состояний п.с.на границе раздела ЗЮ2 при облучении.
1.5.Моделирование процесса накопления заряда в окисле
МОПструктур при облучении.
Основные выводы главы 1.
ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.
ГЛАВА 2. ПРИМЕНЯЕМЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ И ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ. .
2.1.Применяемые экспериментальные методы исследования .
2,1.1.Определение параметров МДПструктур из измерений вольтфарадных и вольтамперных характеристик
2.1.2. Методика приготовления образцов
2.1.3.Проведение облучений . .
2.2.Используемые численные методы при моделировании накопления заряда в подзатворном окисле МДПструктур
при облучении4
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ПЕРЕНОСА ДЫРОК В ПЛЕНКАХ ПОДЗАТВОРНОГО БЮг
3.1.Растекание неоднородно распределенного
положительного заряда в подзатворном ЭЮг в приложенном внешнем поле.
3.2.Теоретические модели для описания дырочного
транспорта
3.3.Качественная модель релаксации захваченного в окисле МОПструктур положительного заряда с учетом
рекомбинации с туннелирующими электронами.
Основные результаты главы 3 .
ГЛАВА 4 . МОДЕЛИРОВАНИЕ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА В МДП СТРУКТУРАХ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ.
4.1.Количественная модель накопления заряда в МДПтранзисторах под действием ионизирующего излучения при комнатной температуре
4.2.Моделирование накопления заряда в подзатворном
окисле МОПструктур при облучении при криогенных
температурах.
Основные результаты главы 4
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ.
ЛИТЕРАТУРА