СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Электрофизические свойства тонких пленок СсГГе и требования к ним с точки зрения применения в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии
1.1 Тонкопленочные солнечные элементы на неориентирующих 8 подложках
1.2 Описание межкристаллитных границ в поликристаллических пленках
1.3 Электрические свойства поликристаллических слоев СсГГе
1.4 Оптические и фотоэлектрические характеристики пленок СсТе
1.5 Тонкопленочные солнечные элементы на основе СсТе
1.6 Выводы
2. Влияние размера кристаллитов и Толщины на свойства
V
полупроводниковых пленок, используемых в качестве активного слоя в солнечных элементах
2.1 Влияние параметров полупроводниковой пленки на
эффективное время жизни фотоносителей
2.2 Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в тонкопленочных структурах
2.3 Выводы
3. Исследование структур на основе СсГГе
3.1 Анализ возможных конструкций тонкопленочных солнечных элементов на основе СсГГе
3.2 Изготовление и исследование стабильности гетероструктур 8ппСсрСсГГе и пвпОгрСсПе
3.3 Исследование эффекта фотопамяти в тонкопленочных
фотопрсобразователях на основе СсГГе
3.4 Выводы
4. Разработка модуля солнечной батареи
4.1 Основные требования к конструкции модуля
4.2 Разработка конструкции батареи
4.3 Ограничения на увеличение площади, роль фронтального покрытия и токособирающих электродов
4.4 Выводы
5. Разработка технологии тонкопленочных солнечных батарей и установки для их производства
5.1 Выбор технологической схемы
5.2 Разработка рабочих камер и установки
5.3 Выводы
6. Некоторые возможные применения тонкопленочных солнечных модулей на основе СсПе
6.1 Перспективы применения тонкопленочных солнечных модулей
6.2 Автономное устройство пожарной сигнализации
6.3 Настенные часы с автономным источником, подзаряжаемым от фотоэлектрического модуля
6.4 Подзарядное устройство для аккумуляторных батарей
6.5 Выводы
Заключение
Список использованных источников
- Київ+380960830922