Ви є тут

К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением

Автор: 

Курочкин Николай Евгеньевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000204688

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
• Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
• Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
• Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
• Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
• Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
• Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
• Квантовые точки I и II типа