Оглавление
Введение.
Г лава 1. Контакт металлполупроводник
1.1 Контакт с ограниченной площадью.
1.2 Неоднородная граница раздела металлполупроводник.
Глава 2 Методы исследования.
2.1 Атомносиловая микроскопия
2.2 Фрактальный подход к исследованию поверхности.
Глава 3. Исследование морфологии и электрофизических свойств
поверхностей полупроводников
3.1 Поверхность подложки пьОаАБ.
3.2 Поверхность эпитаксиального пваАз
3.2.1 Исходная поверхность пСаАБ
3.2.2 Входная обработка поверхности пваЛз.
3.2.3 Поверхность пОаАэ после снятия диэлектрического покрытия
3.2.4 Поверхность пваАв после финишных химических обработок
3.3 Влияние стандартных технологических обработок на величину
реальной площади поверхности эпитаксиального пва Аз
Основные результаты и выводы
Глава 4. Исследование морфологии и электро физических свойств
поверхностей металлов.
4.1 Влияние состояния границы раздела металлполупроводник на картину распределения КРП в области металлизации.
Основные результаты и выводы
Глава 5. Контакты металлполупроводник с барьером Шоттки
5.1 Влияние диаметра КМП с БШ на распределение КРП.
5.2 Влияние взаимного расположения КМП с БШ на картину распределения их КРП
Основные результаты и выводы.
Заключен ие
Список литературы
- Київ+380960830922